Разработка низкотемпературных технологий синтеза оксидных светоизлучающих диодов нового поколения

Разработка низкотемпературных технологий синтеза оксидных светоизлучающих диодов нового поколения

В рамках проекта будет выполнен комплекс технологических и исследовательских работ:

  1. Разработка технологий синтеза диодных светоизлучающих структур на базе широкозонных оксидов.
  2. Проведение исследований процессов dc магнетронного синтеза функциональных слоев на основе широкозонных оксидов (ZnO, In2O3, Ga2O3, SnO2, Al2O3), а также сложных композитов на их основе.
  3. Исследование излучательных характеристик синтезированных материалов в спектральном диапазоне λ = (370 – 700) нм при различных уровнях оптической накачки.
  4. Оптимизация технологий синтеза светоизлучающих структур по данным исследований спектров излучения для создания эффективных светоизлучающих диодов.

Задачи проекта:

  1. Разработка базовых материалов для перспективных светоизлучающих устройств на основе оксидных структур.
  2. Разработка низкотемпературных технологий их формирования для перспективных светоизлучающих устройств на основе оксидных структур.
  3. Исследование излучательных характеристик синтезированных структур.
  4. Оптимизация технологий синтеза структур по данным исследований их излучательных характеристик. 
Цели проекта
  • Разработка научной и технологической платформ для создания низкотемпературных технологий синтеза тонкопленочных светоизлучающих диодов.
Руководитель проекта Все участники
empty-photo

Кузнецов Евгений Викторович

Доктор технических наук, профессор базовой кафедры нанотехнологии и микросистемная техника
Результаты проекта
Создание низкотемпературных технологий синтеза функциональных слоев на основе широкозонных оксидов и сложных композитов на их основе.
Создание низкотемпературных технологий синтеза функциональных слоев на основе широкозонных оксидов и сложных композитов на их основе.
Область исследования
  • Производство нового поколения систем отображения информации на основе доступных оксидных материалов.
  • Создание экономически эффективных низкозатратных систем отображения информации на полимерных носителях большой площади.
Партнеры

Страна партнера

Россия

О партнере

Ведущее предприятие лазерной отрасли, производит широкую номенклатуру продукции, занимает устойчивые позиции как на внутреннем, так и на мировом рынке. Лидер лазерной отрасли. Большинство продукции института обладает хорошими позициями на внутреннем рынке оптико-электронных систем гражданского назначения. Распоряжением Правительства Москвы 25 августа 2016 г. АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» присвоен «Статус управляющей компании технопарка «Полюс». Резиденты технопарка «Полюс» - 36 компаний с общей численностью более двух тысяч человек. АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» имеет значительный позитивный опыт внедрения новых бизнес-моделей.

Департамент РУДН в сотрудничестве

Инженерная академия

Начало сотрудничества

С 2021 г.

Начало сотрудничества

С сентября 2020 г.

Предмет

Проведение научно-исследовательских работ (НИР) по разработке и исследованию характеристик материалов для формирования функциональных слоев светоизлучающих структур, выполнение научно-исследовательских работ (НИР) по разработке структуры и созданию технологии.

Результат

Новые материалы и технологии формирования функциональных слоев для оксидных тонкопленочных светоизлучающих структур, технологии синтеза светодиодов на основе широкозонных оксидов и массивов светоизлучающих диодов на их основе, светоизлучающие системы нового.